11月9日-11日，第十二屆亞太經(jīng)合組織（APEC）中小企業(yè)技術(shù)交流暨展覽會在山東青島舉行。其間，半導(dǎo)體行業(yè)中小企業(yè)創(chuàng)新發(fā)展論壇以“聚力賦能共發(fā)展 創(chuàng)新驅(qū)動‘芯’未來”為主題，邀請專家學(xué)者、中小企業(yè)代表、服務(wù)機(jī)構(gòu)代表，分享半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展經(jīng)驗(yàn)、痛點(diǎn)、趨勢和破局可能，共同探討國內(nèi)半導(dǎo)體如何在高度全球化的行業(yè)背景下實(shí)現(xiàn)自主可控，掌握行業(yè)主動權(quán)。
第十二屆亞太經(jīng)合組織（APEC）中小企業(yè)技術(shù)交流暨展覽會半導(dǎo)體行業(yè)中小企業(yè)創(chuàng)新發(fā)展論壇。圖/主辦方供圖
中國約占世界半導(dǎo)體市場三分之一，供應(yīng)只占5%
俄羅斯工程院外籍院士、中芯國際原副總裁李偉表示，中國約占世界半導(dǎo)體應(yīng)用市場的三分之一，“這樣的市場份額是巨大的，國際出口限制跟自主可控給我們帶來很多商機(jī)”。
他同時表示，我國超過85%的芯片來自國外，尤其是高端芯片基本依靠進(jìn)口。“實(shí)際上，我們有很多芯片進(jìn)來組裝以后又出國，我們真正使用的大概不到25%。另外在供應(yīng)方面，美國占比最多為55%，中國只占5%，這有很大的區(qū)別。”李偉說。
青島四方思銳智能技術(shù)有限公司董事長聶翔也提出，半導(dǎo)體行業(yè)當(dāng)前的使命、難點(diǎn)和痛點(diǎn)在于快速適應(yīng)和替代以前的國外產(chǎn)品。
2022年10月，處于全球半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先地位的美國商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）修改出口管制條例，進(jìn)一步限制對中國的半導(dǎo)體出口。據(jù)中國海關(guān)總署11月7日發(fā)布的數(shù)據(jù)，今年1月至10月，我國集成電路進(jìn)出口數(shù)量和金額同比均下降：集成電路進(jìn)口3977.1億個，同比下降13.1%，進(jìn)口金額為19897.7億元，同比下降13.5%；集成電路出口2217.8億個，同比下降4.1%，出口金額為7685.3億元，同比下降8.6%。
青島市民營經(jīng)濟(jì)發(fā)展局局長郭振棟在致辭中表示，半導(dǎo)體是高度全球化的行業(yè)，據(jù)李偉介紹，去年全球半導(dǎo)體行業(yè)值約6400億美元，2010年后應(yīng)用到汽車、電子等工業(yè)領(lǐng)域，最近還擴(kuò)張至AI、量子計算和5G等領(lǐng)域。“現(xiàn)在汽車大概用500到1000個芯片，到實(shí)現(xiàn)自動駕駛的時候，一輛車所用芯片大約是1500到2000個，所以芯片在汽車領(lǐng)域會成為一個非常大的市場。”李偉預(yù)測道。
國內(nèi)第三、四代半導(dǎo)體離世界水平只差1至2代技術(shù)
對于國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)如何掌握發(fā)展主動權(quán)的問題，李偉提出：要將技術(shù)驅(qū)動變?yōu)槭袌鲵?qū)動，充分利用市場優(yōu)勢，瞄準(zhǔn)核心領(lǐng)域，發(fā)展專用芯片，“我們在國內(nèi)碰到過很多特有芯片或特有需求”。
另外李偉認(rèn)為，第三代、第四代半導(dǎo)體技術(shù)離世界水平大概只差1-2兩代，“這也是一個突破點(diǎn)”。他介紹，第一代半導(dǎo)體材料主要是赭、硅，第二代以砷化鎵、磷化銦為代表，第三代主要是碳化硅、氮化鎵，“碳化硅、氮化鎵這兩種材料在高壓功率半導(dǎo)體、汽車等應(yīng)用上有非常大的用途”。
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副理事長兼秘書長、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所原副所長楊富華也強(qiáng)調(diào)，第三代半導(dǎo)體在國家雙碳戰(zhàn)略目標(biāo)涉及新能源汽車、儲能等領(lǐng)域的情況下，會有很好的應(yīng)用前景，“第三代半導(dǎo)體主要在光電子，關(guān)鍵在LED，我們國家中小企業(yè)把太陽能電池的價格做下來，比水電、煤電要便宜”。
根據(jù)智研咨詢最新預(yù)測，2023年國內(nèi)第三代半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)到152.15億元，2028年將達(dá)到583.17億元，2023年到2028年復(fù)合增長率為30.83%。
“我一直參與做第四代半導(dǎo)體氧化鎵，嚴(yán)格來說，第四代半導(dǎo)體有金剛石、氮化鋁、氧化鎵三種，但從半導(dǎo)體器件理解看，氧化鎵是最有希望的。”李偉補(bǔ)充說。他還分享日本半導(dǎo)體行業(yè)的預(yù)測數(shù)據(jù)：到2030年，50%碳化硅將被氧化鎵取代，60%以上的氮化鎵會被氧化鎵取代。
考慮實(shí)現(xiàn)20納米、90納米或130納米技術(shù)國產(chǎn)化
李偉強(qiáng)調(diào)，國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)在制造上落后國際大概4-5年，“像設(shè)備大概只有10%是國產(chǎn)的，所以不僅是光刻機(jī)的問題，制造設(shè)備還有很長的路要走”。
青島惠科微電子有限公司副總經(jīng)理?xiàng)钪椅湟怨β拾雽?dǎo)體器件為例，說明國內(nèi)包括EBT（Electronic Benefits Transfer）和FRD（Fast Recovery Diode）在內(nèi)的技術(shù)儲備不太充足，“國外已經(jīng)發(fā)展到第7代、第8代，我們還在第4代左右”。
國家發(fā)改委2021年3月公布的“十四五”規(guī)劃將碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體寫入科技前沿領(lǐng)域攻關(guān)范圍。中國科學(xué)院院士滕吉文也在致辭中表示，半導(dǎo)體行業(yè)必須加強(qiáng)基礎(chǔ)研究，“充分利用國內(nèi)制造和市場優(yōu)勢，加快核心技術(shù)突破，實(shí)現(xiàn)跨越發(fā)展，搶占制高點(diǎn)，重塑全球半導(dǎo)體競爭格局”。
李偉認(rèn)為，除通訊、AI芯片需要用到2納米技術(shù)外，28納米實(shí)際足夠滿足國內(nèi)大部分市場包括軍工在內(nèi)的需求，“我們應(yīng)該考慮如何實(shí)現(xiàn)20納米和90納米技術(shù)，或130納米技術(shù)的國產(chǎn)化，而不是花大量金錢追求2納米、3納米的技術(shù)”。
“美國半導(dǎo)體基本上是70年的發(fā)展歷史，我們要趕上世界最先進(jìn)的集成電路必須有耐心，而且要腳踏實(shí)地一步步地實(shí)現(xiàn)，不是三年五年可以做到的。”李偉說。
山東省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會秘書長孟祥玖認(rèn)為，半導(dǎo)體行業(yè)的協(xié)同創(chuàng)新不僅強(qiáng)調(diào)產(chǎn)學(xué)研合作，也要充分利用現(xiàn)有公共技術(shù)服務(wù)平臺和各級新型研發(fā)機(jī)構(gòu)，加快產(chǎn)品技術(shù)迭代。
我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中很多都是中小企業(yè)。“目前國內(nèi)的1.2萬余家專精特新‘小巨人’企業(yè)中，半導(dǎo)體行業(yè)‘小巨人’占較大的比例”。中國中小企業(yè)發(fā)展促進(jìn)中心副主任李妍說。她認(rèn)為，中小企業(yè)量大面廣，創(chuàng)新活力強(qiáng)，近年來已經(jīng)成為促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)進(jìn)步最活躍的創(chuàng)新主體。
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